[Through Silicon Via, 실리콘 관통전극]
기존 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 후, 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다.
TSV는 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술로, 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있는 것이 특징이다.
출처 : https://semiconductor.samsung.com/kr/support/tools-resources/dictionary/semiconductor-glossary-tsv/
인터포저(Interposer)는 복수 칩 결합을 위해 사용되는 패키지 기술 중 하나로, 피치(Pitch) 차이가 큰 반도체 칩(Semiconductor Chip)과 기판(Substrate)를 전기적으로 연결하기 위해 삽입하는 배선을 포함하고 있는 층이다.